Infineon IRF2807ZSPBF

Name: Infineon IRF2807ZSPBF
Brand: Infineon
SKU: IRF2807ZSPBF

75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2Pak Package, D2PAK-3, RoHS

$ 2.11

Obsolete

Page du fabricant Fiche technique

Prix et stock

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Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRF2807ZSPBF	0	500	Bulk				2,110	2,110	13h
Farnell	IRF2807ZSPBF	0	1		2,957*	2,957*	2,957*	2,957*	2,957*	7h
Component Stockers USA	IRF2807ZSPBF	552			99,990	99,990	99,990	99,990	99,990	1d
Win Source	WS-IRF2807ZSPBF	20	40				1,029	0,836	0,836	22h
Worldway Electronics	IRF2807ZSPBF	19 959	7	Tube		0,763	0,739	0,700	0,700	21h

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1 composant disponible

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Datasheet13 pagesIl y a 15 ans

Datasheet12 pagesIl y a 15 ans

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iiiC

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Ce composant

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InfineonIRF2807ZSPBF

InfineonIRF2807ZSTRLPBF

Price @ 1000

$ 2.11

$ 1.11

Stock

94,553

260,673

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

D2PAK

Drain to Source Voltage (Vdss)

75 V

Continuous Drain Current (ID)

75 A

Threshold Voltage

4 V

Rds On Max

9.4 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

170 W

Input Capacitance

3.27 nF

Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2003-04-04

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2016-11-16

LTD Date2017-05-16

Pièces détachées

InfineonIRFS7787PBF

Single N-Channel 75 V 8.4 mOhm 73 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK

Détails

InfineonIRF1010ZSPBF

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 5.8Milliohms;ID 75A;D2Pak;PD 140W;VGS +/-20

Détails

InfineonAUIRFS3607

Automotive Q101 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS

Détails

onsemiFDB045AN08A0

N-Channel PowerTrench® MOSFET 75 V, 80 A, 4.5 mΩ

Détails

STMicroelectronicsSTB76NF75

N-channel 75 V, 0.0095 Ohm typ., 80 A STripFET(TM) II Power MOSFET in D2PAK package

Détails

onsemiHUF75545S3ST

N-Channel 80 V 0.01 Ohm Surface Mount UltraFET Power Mosfet - TO-263AB

Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRF2807ZSPBF fournies par ses distributeurs.

75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2Pak Package, D2PAK-3, RoHS

Infineon SCT

Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature

Infineon

Trans MOSFET N-CH 75V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

Verical

Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0094ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

IHS

MOSFET, N, 75V, 89A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:89A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):9.4mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:170W; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D2-PAK; Current Id Max:75A; Junction to Case Thermal Resistance A:0.9°C/W; On State resistance @ Vgs = 10V:9.4mohm; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:170W; Power Dissipation Pd:170W; Pulse Current Idm:350A; Termination Type:SMD; Voltage Vds:75V; Voltage Vds Typ:75V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V

element14 APAC

Images

RS (Formerly Allied Electronics)

TME

element14 APAC

Newark

Rochester Electronics

iiiC

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

2807ZSPBF

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Spécifications techniques

Physical

Case/PackageD2PAK

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)75 A

Current Rating75 A

Drain to Source Breakdown Voltage75 V

Drain to Source Resistance9.4 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)75 V

Dual Supply Voltage75 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time45 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance3.27 nF

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation170 W

Min Breakdown Voltage75 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs4 V

Number of Channels1

Number of Elements1

On-State Resistance9.4 mΩ

Package Quantity1000

PackagingBulk

Power Dissipation170 W

Rds On Max9.4 mΩ

Resistance9.4 mΩ

Rise Time79 ns

Threshold Voltage4 V

Turn-Off Delay Time40 ns

Turn-On Delay Time18 ns

Voltage Rating (DC)75 V

Dimensions

Height5.084 mm

Length10.67 mm

Width9.65 mm

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Conformité

Classification environnementale

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Conflict Mineral StatementN/AN/A

Reach Statement6 pagesIl y a 12 ans

Rohs Statement1 pageIl y a 12 ans