STMicroelectronics STB76NF75
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-12-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2014-01-29
LTD Date2014-07-29
Pièces détachées
InfineonIRFS7787PBF
MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK N-Channel 75 V 76A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263AB (D2PAK)
InfineonIRF2807ZSPBF
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK N-Channel 75 V 75A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
InfineonIRFS7787TRLPBF
MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK N-Channel 75 V 76A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
onsemiHUFA75344S3S
285W(Tc) 4V@ 250µA 210nC@ 20V 1individualNChannel 55V 8mΩ@ 75A,10V 3.2pF@25V D2PAK SMD mount
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STB76NF75 fournies par ses distributeurs.
N-channel 75 V, 0.0095 Ohm typ., 80 A STripFET(TM) II Power MOSFET in D2PAK package
Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
300W(Tc) 20V 4V@ 250µA 160nC@ 10 V 1individualNChannel 75V 11mΩ@ 40A,10V 80A 3.7nF@25V D2PAK，TO-263 SMD mount 10.4mm*9.35mm*4.6mm
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance11 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.7 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation300 W
Rds On Max11 mΩ
Rise Time100 ns
Turn-Off Delay Time66 ns
Turn-On Delay Time25 ns
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant