Infineon AUIRFS3607
$ 2.255
Obsolete
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Pièces de rechange
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Pièces de rechange
Ce composant
Pièces de rechange
Price @ 1000
$ 2.255
$ 0.946
$ 0.946
Stock
112,286
528,356
528,356
Authorized Distributors
3
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
75 V
75 V
Continuous Drain Current (ID)
80 A
80 A
80 A
Threshold Voltage
2 V
-
-
Rds On Max
9 mΩ
9 mΩ
9 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
140 W
140 W
140 W
Input Capacitance
3.07 nF
3.07 nF
3.07 nF
Pièces détachées
InfineonAUIRF1010EZS
Automotive Q101 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
InfineonIRFS7762PBF
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Descriptions
Descriptions de Infineon AUIRFS3607 fournies par ses distributeurs.
Automotive Q101 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Transistor MOSFET N-ch 75V 56A D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, 75V, 80A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):7340µohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:140W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:TO-263AB; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Operating Temperature Range:-55°C to +175°C
Benefits: Advanced process technology; Ultra-low on-resistance; 175C operating temperature; Fast switching; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified | Target Applications: Brushed Motor Drive; Brushless Motor Drive; Exhaust; Injection
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Historique des stocks
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Pièces de rechange
1 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time96 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.07 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance9 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation140 W
Rds On Max9 mΩ
Rise Time110 ns
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time43 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité