Infineon IRF100B201

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
$ 1.031
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Avnet
2
12AC97454961
10h
NewarkIRF100B2014961
Future Electronics
2
IRF100B2017 60050Tube
Arrow Electronics
3
IRF100B20110 8221
Rochester ElectronicsIRF100B201610
8h

Fiches techniques et documents

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TME

Datasheet13 pagesIl y a 11 ans

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Chaîne d'approvisionnement

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

Pièces détachées

STMicroelectronicsSTP150N10F7
N-channel 100 V, 0.0036 Ohm typ., 110 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
Détails
InfineonIRFI4110GPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 100V, 72A, TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; C
Détails
InfineonIPA045N10N3GXKSA1
Trans MOSFET N-CH 100V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Détails
STMicroelectronicsSTP170N8F7
N-channel 80 V, 0.003 Ohm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 package
Détails
InfineonIPP06CN10LGXKSA1
100 A 100 V 0.0062 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
Détails
onsemiFDPF045N10A
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 67A, 4.5mΩ
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRF100B201 fournies par ses distributeurs.

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 100 V 4.2 mOhm 170 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
Future Electronics
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 192 A, 0.0042 ohm, TO-220AB, Through Hole
Avnet
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Verical
Power Field-Effect Transistor, 192A I(D), 100V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Semicontronic
MOSFET, N-CH, 100V, 192A, TO-220AB; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 192A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.0035ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V;
Farnell
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Infineon
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 192 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 3.5 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 100 / Rise Time ns = 97 / Turn-OFF Delay Time ns = 110 / Turn-ON Delay Time ns = 17 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-220 / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Tube / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 441
Distrelec

Images

Infineon
Farnell
element14 APAC
TME
Future Electronics
Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • SP001561498