STMicroelectronics STP150N10F7
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Pièces détachées
STMicroelectronicsSTP170N8F7
N-channel 80 V, 0.003 Ohm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 package
STMicroelectronicsSTP80NF10FP
N-Channel 100V - 0.012Ohm - 80A - TO-220FP LOW GATE CHARGE STripFET(TM) POWER MOSFET
onsemiNDPL100N10BG
MOSFET N-CH 100V 100A TO220 / Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
onsemiFDP023N08B-F102
MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3 / N-Channel 75 V 120A (Tc) 245W (Tc) Through Hole TO-220-3
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STP150N10F7 fournies par ses distributeurs.
N-channel 100 V, 0.0036 Ohm typ., 110 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
N-Channel 100 V 0.0042 Ohm Flange Mount Power Mosfet - TO-220
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 100V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 100V, 110A, To-220; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:110A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4.5V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STP150N10F7
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight329.988449 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)110 A
Drain to Source Resistance4.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time33 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance8.115 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max4.2 mΩ
Rise Time57 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time72 ns
Turn-On Delay Time33 ns
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant