Infineon IRFI4110GPBF

N CH POWER MOSFET, HEXFET, 100V, 72A, TO-220AB; Transistor Polarity: N Channel; C
$ 1.978
Obsolete
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Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Arrow Electronics
3
IRFI4110GPBF1 8771
Rochester ElectronicsIRFI4110GPBF37 504
19h
RS (Formerly Allied Electronics)IRFI4110GPBF02Bulk
12h
FarnellIRFI4110GPBF4 0761
19h
Mouser942-IRFI4110GPBF1 1911Tube

Fiches techniques et documents

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-01-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-09-30
LTD Date2025-03-31

Pièces détachées

InfineonIPA045N10N3GXKSA1
Trans MOSFET N-CH 100V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Détails
STMicroelectronicsSTP80NF10FP
N-Channel 100V - 0.012Ohm - 80A - TO-220FP LOW GATE CHARGE STripFET(TM) POWER MOSFET
Détails
onsemiFDPF045N10A
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 67A, 4.5mΩ
Détails
onsemiNDPL070N10BG
Power MOSFET, N-Channel, 100 V, 70 A, 10.8 mΩ
Détails
VishaySUP60N10-18P-E3
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Détails
STMicroelectronicsSTP75NF75FP
N channel 75 V, 0.0095 Ohm typ., 80 A STripFET II Power MOSFET in TO-220FP package
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRFI4110GPBF fournies par ses distributeurs.

N CH POWER MOSFET, HEXFET, 100V, 72A, TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; C
Newark
Single N-Channel 100 V 4.5 mOhm 190 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
Future Electronics
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB FullPak, FULLPAK220-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 100V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak
Avnet
Power Field-Effect Transistor, 72A I(D), 100V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
IHS
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 100V, 72A, TO; N CH POWER MOSFET, HEXFET, 100V, 72A, TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:72A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):3.7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V
element14 APAC
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Infineon
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 72 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 3.7 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 71 / Rise Time ns = 58 / Turn-OFF Delay Time ns = 81 / Turn-ON Delay Time ns = 24 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-220 / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Tube / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 61
Distrelec

Images

Infineon
TME
Newark
RS
Future Electronics
Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRFI4110G
  • IRFI4110GPBF.
  • SP001556598