Infineon IPD090N03LGBTMA1
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Pièces de rechange
Ce composant
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Price @ 1000
$ 0.368
Stock
145,702
1,533,589
Authorized Distributors
0
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-252-3
TO-252
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
40 A
40 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
9 mΩ
9 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
42 W
42 W
Input Capacitance
1.6 nF
1.2 nF
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-01-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2020-03-11
LTD Date2020-03-11
Pièces détachées
InfineonIPD50N03S2L06ATMA1
30V, N-Ch, 6.4 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™, PG-TO252-3, RoHS
InfineonIPD50N03S207ATMA1
30V, N-Ch, 7.3 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™, PG-TO252-3, RoHS
Diodes Inc.DMN3010LK3-13
Mosfet, N-Ch, 30V, 43A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN3010LK3-13
onsemiNTD70N03RG
Tube Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 10A Ta 32A Tc 32A 1.87W 1.3ns
Descriptions
Descriptions de Infineon IPD090N03LGBTMA1 fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)40 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance13.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time2.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.6 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation42 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation42 W
Rds On Max9 mΩ
Rise Time3 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time4 ns
Dimensions
Height2.56 mm
Fiches techniques et documents
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