onsemi FDD6296
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2003-06-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2021-02-17
LTD Date2021-08-17
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Pièces détachées
InfineonIRLR7821TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 7.5Milliohms;ID 65A;D-Pak (TO-252AA);PD 75W
Diodes Inc.DMN3010LK3-13
Mosfet, N-Ch, 30V, 43A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN3010LK3-13
Descriptions
Descriptions de onsemi FDD6296 fournies par ses distributeurs.
Fast Switching N-Channel PowerTrench® MOSFET, 30V, 50A, 8.8mΩ
N-Channel 30 V 8.8 mOhm Surface Mount Fast Switching PowerTrench Mosfet TO-252-3
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS(ON) and fast switching speed.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Current Rating50 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance8.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.44 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation52 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max8.8 mΩ
Resistance8.8 MΩ
Rise Time6 ns
Turn-Off Delay Time29 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité