Infineon IPD090N03LGATMA1

N-channel MOSFET Transistor, 40 A, 30 V, 3-pin PG-TO-252-3-11
$ 0.321
Production
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DistributorSKUMinPkg
Newark
2
IPD090N03LGATMA12 0875Cut Tape
Arrow Electronics
2
IPD090N03LGATMA1241
Future Electronics
2
IPD090N03LGATMA137 5002500Tape & Reel
DigiKey
3
IPD090N03LGATMA1CT-ND93 6171Cut Tape
AvnetIPD090N03LGATMA102500
2d

Fiches techniques et documents

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-10-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

InfineonIPD075N03LGATMA1
Transistor MOSFET N-Channel 30V 50A 4-Pin TO-252 T/R
Détails
onsemiFDD8780
PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 25V, 35A, 8.5mΩ
Détails
onsemiNTD20N03L27G
Tube Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 20A Ta 20A 74W 31ns
Détails
InfineonIPD040N03LGATMA1
79W(Tc) 20V 2.2V@ 250¦ÌA 38nC@ 10 V 1N 30V 4m¦¸@ 30A,10V 90A 3.9nF@15V TO-252
Détails
onsemiFDD6630A
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 30V, 21A, 35mΩ
Détails
Diodes Inc.DMG4511SK4-13
Mosfet, Dual, N/P-Ch, 35V, 5.3A Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMG4511SK4-13
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IPD090N03LGATMA1 fournies par ses distributeurs.

N-channel MOSFET Transistor, 40 A, 30 V, 3-pin PG-TO-252-3-11
Fly-Wing Technology
MOSFET, N CH, 40A, 30V, PG-TO252-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 40A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.0075ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.2V;
Farnell
Mosfet, N Channel, 30V, 40A, To-252; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:40A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:30V; Resistencia De Activación Rds(On):0.0075Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V |Infineon IPD090N03L G
Newark
Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6)
Infineon
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 40 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 30 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 9 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 2.6 / Rise Time ns = 3 / Turn-OFF Delay Time ns = 15 / Turn-ON Delay Time ns = 4 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-252 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 42
Distrelec

Images

TME
element14 APAC
Newark
TME
Future Electronics
Distrelec
LZChips
Rochester Electronics
iiiC

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IPD090N03L G
  • SP000680636