Diodes Inc. DMN3010LK3-13
$ 0.339
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | DMN3010LK3-13 | 0 | 1 | 16h | ||||||||
| Newark | DMN3010LK3-13 | 0 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | DMN3010LK3-13 | 0 | 2500 | 19h | ||||||||
| Farnell | DMN3010LK3-13 | 0 | 1 | Cut Tape | 3h | |||||||
| element14 APAC | DMN3010LK3-13 | 0 | 1 | Cut Tape | 6h |
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Modèles CAO
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Pièces de rechange
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | Empreinte | Télécharger | |
 Ultra Librarian | SymboleEmpreinte | Télécharger |
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Pièces détachées
InfineonIPD50N03S207ATMA1
30V, N-Ch, 7.3 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™, PG-TO252-3, RoHS
onsemiNTD50N03RT4G
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 7.8A Ta 45A Tc 45A 50W 6.8ns
onsemiNTD50N03RT4
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 7.8A Ta 45A Tc 45A 50W 4ns
Descriptions
Descriptions de Diodes Inc. DMN3010LK3-13 fournies par ses distributeurs.
Mosfet, N-Ch, 30V, 43A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN3010LK3-13
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 43 A, 0.008 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Trans MOSFET N-CH 30V 13.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
N-Channel 30V 13.1A (Ta), 43A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount TO-252-3
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 30V VDS, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
MOSFET 30V N-Ch Enh Mode 20Vgss 1.6W 2075pF
DiodesZetex NMOS, Vds=30 V, 43 A, DPAK (TO-252), , 3
Power Field-Effect Transistor, 13.1A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Alias du fabricant
Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Capacitance2.075 nF
Continuous Drain Current (ID)13.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance9.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.075 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.6 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max9.5 mΩ
Rise Time19.6 ns
Turn-Off Delay Time31 ns
Turn-On Delay Time4.5 ns
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant