STMicroelectronics STB40N60M2
$ 2.545
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -82.79%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Modèles CAO
Téléchargez les symboles STMicroelectronics STB40N60M2, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 SnapEDA | Empreinte | 3D | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-07-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTB42N60M2-EP
N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a D2PAK package
onsemiFCB070N65S3
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® III, Easy Drive, 650 V, 44 A, 70 mΩ, D2PAK
STMicroelectronicsSTB45N50DM2AG
MOSFET N-CH 500V 35A D2PAK / N-Channel 500 V 35A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
VishaySIHB33N60E-GE3
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 33 A, 0.099 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STB40N60M2 fournies par ses distributeurs.
N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
N-Channel 600 V 88 mO 250 W Surface Mount MDmesh II Plus Mosfet - D2PAK
Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 600V, 0.088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, 600V, 34A, TO-263; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 34A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.078ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Powe
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -82.79%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-263-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)34 A
Drain to Source Resistance88 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.5 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Rds On Max88 mΩ
Rise Time13.5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time96 ns
Turn-On Delay Time20.5 ns
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant