Infineon IPB200N25N3GATMA1

MOSFET Transistor, N Channel, 64 A, 250 V, 0.0175 ohm, 10 V, 3 V
$ 3.485
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Avnet
2
IPB200N25N3GATMA12 0001K
1d
Newark
2
IPB200N25N3GATMA16 2961Cut Tape
Arrow Electronics
2
IPB200N25N3GATMA12 3411
Rochester ElectronicsIPB200N25N3GATMA11 429
14h
DigiKey
3
IPB200N25N3GATMA1CT-ND19 2761Cut Tape

Fiches techniques et documents

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IHS

Datasheet11 pagesIl y a 14 ans

Farnell

iiiC

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Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
InfineonIPB200N25N3GATMA1
InfineonIPB64N25S320ATMA1
Price @ 1000
$ 3.485
$ 3.031
Stock
922,325
415,019
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-263
TO-263-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
250 V
Continuous Drain Current (ID)
64 A
64 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
20 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
300 W
300 W
Input Capacitance
5.34 nF
7 nF

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginGermany, Malaysia, Mexico
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-10-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)

Pièces détachées

onsemiFDB8832
N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET, 30V, 80A, 2.1mΩ
Détails
onsemiFDB8441
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Détails
VishaySUM65N20-30-E3
SUM65N20 Series 200 V 65 A 30 mOhm Surface Mount N-Channel Mosfet - D2PAK-3
Détails
InfineonIPB108N15N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 83 A, 0.0091 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Détails
onsemiFDB035AN06A0
N-Channel 60 V 3.5 mOhm Surface Mount PowerTrench® Mosfet - D2PAK-3
Détails
InfineonIPB107N20NAATMA1
300W 20V 2V 65nC@ 10V 1N 200V 10.7m¦¸@ 10V 88A 5.34nF@ 100V TO-263 , 10mm*9.25mm*4.4mm
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IPB200N25N3GATMA1 fournies par ses distributeurs.

MOSFET Transistor, N Channel, 64 A, 250 V, 0.0175 ohm, 10 V, 3 V
Newark
Trans MOSFET N-CH 250V 64A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Verical
Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 250V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
IHS
MOSFET, N CH, 250V, 64A, TO-263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:64A; Drain Source Voltage Vds:250V; On Resistance Rds(on):0.0175ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; P
element14 APAC
Infineon's 250V OptiMOS™ products are performance leading benchmark technologies, perfectly suited for synchronous rectification in 48V systems, DC-DC converters, uninterruptable power supplies (UPS) and inverters for DC motor drives.
Infineon

Images

Newark
element14 APAC
TME
RS
element14 APAC
Future Electronics
LCSC
UTSource
LCSC
iiiC

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IPB200N25N3 G
  • IPB200N25N3-G
  • IPB200N25N3G
  • SP000677896