onsemi FDB8441
$ 2.009
EOL
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | FDB8441CT-ND | 785 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Flip Electronics | FDB8441 | 2 400 | 6d | |||||||||
| element14 APAC | FDB8441 | 0 | 1 | 13h | ||||||||
| Farnell | FDB8441 | 0 | 1 | 1d | ||||||||
| Win Source | WS-FDB8441 | 1 130 | 25 | 1h |
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -33.44%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi FDB8441.
Modèles CAO
Téléchargez les symboles onsemi FDB8441, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SymboleEmpreinte |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2006-09-20
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-12-30
LTD Date2023-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Pièces détachées
InfineonIPB011N04NGATMA1
TRANSISTOR, OPTIMOS 3 POWER MOSFET, N-CHANNEL, NORMAL LEVEL, 40V, 180A, TO263-7
Descriptions
Descriptions de onsemi FDB8441 fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 80A, 2.5mΩ
N-Channel 40 V 120 A 2.5 mohm Surface Mount PowerTrench® Mosfet - TO-263AB
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 40V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:40V; Continuous Drain Current, Id:28A; On Resistance, Rds(on):0.0019ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:2.8V; Threshold Voltage, Vgs Typ:20V ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, N, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:28A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):1.9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.8V; Power Dissipation Pd:300W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:TO-263; Capacitance Ciss Typ:15000pF; Current Id Max:28A; Fall Time tf:17.9ns; Junction Temperature Tj Max:175°C; No. of Transistors:1; Package / Case:D2-PAK; Pin Format:G,D,S; Power Dissipation Pd:300W; Power Dissipation Pd:300W; Pulse Current Idm:70A; Reverse Recovery Time trr Typ:52ns; Rise Time:24ns; SMD Marking:FDB8441; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:40V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -33.44%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-263
MountSurface Mount
Number of Pins2
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)28 A
Current Rating80 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance2.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Dual Supply Voltage40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time17.9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance15 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2.8 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation300 W
Rds On Max2.5 mΩ
Resistance2.5 MΩ
Reverse Recovery Time52 ns
Rise Time24 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage2.8 V
Turn-Off Delay Time75 ns
Turn-On Delay Time23 ns
Voltage Rating (DC)40 V
Dimensions
Height5.08 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi FDB8441.
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité