onsemi FDB035AN06A0
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2002-07-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
VishaySQM120P06-07L_GE3
MOSFET P-CH 60V 120A TO263 / Trans MOSFET P-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
VishaySUM55P06-19L-E3
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 55 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Descriptions
Descriptions de onsemi FDB035AN06A0 fournies par ses distributeurs.
N-Channel 60 V 3.5 mOhm Surface Mount PowerTrench® Mosfet - D2PAK-3
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60 V, 80 A, 3.5 mΩ
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 60V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N, SMD, TO-263AB; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 80A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.0032ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissi
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-263
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)22 A
Current Rating80 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance3.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.4 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation310 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation310 W
Rds On Max3.5 mΩ
Resistance3.5 MΩ
Rise Time93 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height5.08 mm
Length10.67 mm
Width11.33 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité