Infineon IKB10N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
$ 0.811
Production
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Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
NewarkIKB10N60TATMA1301Cut Tape
Arrow ElectronicsIKB10N60TATMA17001
DigiKey
3
IKB10N60TATMA1CT-ND1 0001Cut Tape
AvnetIKB10N60TATMA101K
22h
Future ElectronicsIKB10N60TATMA101KTape & Reel

Fiches techniques et documents

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IHS

Datasheet13 pagesIl y a 11 ans

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Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
InfineonIKB10N60TATMA1
InfineonIRGS10B60KDPBF
InfineonIRGS10B60KDPBF
Price @ 1000
$ 0.811
$ 1.14
$ 1.14
Stock
156,569
95,835
95,835
Authorized Distributors
6
3
3
Mount
-
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-263-3
D2PAK
D2PAK
Collector Emitter Breakdown Voltage
600 V
600 V
600 V
Max Collector Current
20 A
22 A
22 A
Power Dissipation
110 W
104 W
104 W
Collector Emitter Saturation Voltage
2.05 V
1.8 V
1.8 V
Reverse Recovery Time
115 ns
90 ns
90 ns

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginGermany, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-10-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

Pièces détachées

InfineonIGB10N60TATMA1
Infineon IGB10N60TATMA1 IGBT, 10 A 600 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount
Détails
InfineonIRGS4064DPBF
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Détails
InfineonIRGS10B60KDPBF
Trans IGBT Chip N-CH 600V 22A 3-Pin (2+Tab) D2PAK
Détails
STMicroelectronicsSTGB10M65DF2
IGBT 650V 10A D2PAK / IGBT Trench Field Stop 650 V 20 A 115 W Surface Mount D²PAK (TO-263)
Détails
STMicroelectronicsSTGB7H60DF
H Series 600 V 7 A Surface Mount Trench Gate Field-Stop IGBT - D2PAK
Détails
onsemiSGW23N60UFDTM
Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IKB10N60TATMA1 fournies par ses distributeurs.

Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Verical
600 V IGBT with anti-parallel diode in TO-263-3 package, PG-TO263-3, RoHS
Infineon SCT
IGBT+ DIODE,600V,10A,TO263; DC Collector Current: 10A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2.05V; Power Dissipation Pd: 110W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600V; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 3Pin
Farnell
Hard-switching 600 V, 10 A TRENCHSTOP™ IGBT3 copacked with soft,fast recovery anti-parallel Emitter Controlled diode in a TO-263-3 D2Pak package, leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept.
Infineon

Images

Farnell
TME
RS
element14 APAC

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IKB10N60T
  • SP000014833