Infineon IGB10N60TATMA1
$ 0.558
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : +17.61%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IGB10N60TATMA1.
Modèles CAO
Téléchargez les symboles Infineon IGB10N60TATMA1, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 EE Concierge | SymboleEmpreinte |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginGermany, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-10-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Pièces détachées
onsemiSGW23N60UFDTM
Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
STMicroelectronicsSTGB10M65DF2
IGBT 650V 10A D2PAK / IGBT Trench Field Stop 650 V 20 A 115 W Surface Mount D²PAK (TO-263)
Descriptions
Descriptions de Infineon IGB10N60TATMA1 fournies par ses distributeurs.
Infineon IGB10N60TATMA1 IGBT, 10 A 600 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount
IGB10N60T Series 600 V 20 A 110 W Surface Mount Low Loss IGBT - TO-263-3
IGBT,600V,10A,TO263; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:10A; Collector Emitter Voltage Vces:2.05V; Power Dissipation Pd:110W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-40°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Power Dissipation Max:110W
Hard-switching 600 V, 10 A single TRENCHSTOP™ IGBT3 Discrete in TO263 D2Pak package, leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : +17.61%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-263-3
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.05 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Element ConfigurationSingle
Max Breakdown Voltage600 V
Max Collector Current20 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements1
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation110 W
Schedule B8541290080
Dimensions
Height4.57 mm
Length10.31 mm
Width9.45 mm
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IGB10N60TATMA1.
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité