onsemi NGB18N40CLBT4
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-10-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2009-07-31
LTD Date2010-01-31
Pièces détachées
onsemiSGW23N60UFDTM
Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
Descriptions
Descriptions de onsemi NGB18N40CLBT4 fournies par ses distributeurs.
Trans IGBT Chip N-CH 430V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IGBT 430V 18A 115W D2PAK
Insulated Gate Bipolar Transistor, 18A I(C), 430V V(BR)CES, N-Channel
IGBTs 18A, 400V, Ignition No-Cancel/No-Return
IGBT, 18A, 430V, N-CHANNEL
Each |Onsemi NGB18N40CLBT4
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Emitter Voltage (VCEO)430 V
Current Rating18 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 µs
Max Collector Current18 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation115 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation115 W
Rise Time7 µs
Voltage Rating (DC)400 V
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSNon-Compliant
Déclarations de conformité