Infineon BSZ036NE2LSATMA1

2.1W 20V 2V 7.7NC@ 4.5V, 16NC@ 10V 1N 25V 3.6M¦¸@ 10V 40A 1.2NF@ 12V Son , 3.3MM*3.3MM*1.1MM
$ 0.307
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Arrow Electronics
2
BSZ036NE2LSATMA16 4241
Rochester ElectronicsBSZ036NE2LSATMA131 504
11h
DigiKey
3
BSZ036NE2LSATMA1CT-ND31 2651Cut Tape
AvnetBSZ036NE2LSATMA105K
1d
Farnell
2
BSZ036NE2LSATMA19 5981Cut Tape
11h

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon BSZ036NE2LSATMA1.

element14 APAC

Datasheet9 pagesIl y a 13 ans

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.75
Introduction Date2011-03-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-09-30
LTD Date2026-03-31

Pièces détachées

InfineonBSZ060NE2LSATMA1
Power MOSFET, N Channel, 25 V, 40 A, 0.005 ohm, TSDSON, Surface Mount
Détails
InfineonBSZ0902NSATMA1
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Détails
InfineonBSZ035N03MSGATMA1
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 40 A, 0.0035 ohm, PG-TSDSON, Surface Mount
Détails
onsemiFDMC7696
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 12A, 11.5mΩ
Détails
onsemiFDMS7694
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13.2A 8-Pin PQFN EP T/R / MOSFET N-CH 30V POWER56
Détails
onsemiFDS6680A
N-Channel PowerTrench® MOSFET, Logic Level, 30V, 12.5A, 9.5mΩ
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon BSZ036NE2LSATMA1 fournies par ses distributeurs.

2.1W 20V 2V 7.7nC@ 4.5V,16nC@ 10V 1N 25V 3.6m¦¸@ 10V 40A 1.2nF@ 12V SON , 3.3mm*3.3mm*1.1mm
Unikeyic (ICkey)
With the OptiMOS™ 25V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs and system in package. Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6).
Infineon
MOSFET, N-CH, 25V, 40A, TSDSON-8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 40A; Drain Source Voltage Vds: 25V; On Resistance Rds(on): 0.003ohm; ; Available until stocks are exhausted Alternative available
Farnell
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 79 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 25 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 5.1 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 2.2 / Rise Time ns = 2.8 / Turn-OFF Delay Time ns = 15 / Turn-ON Delay Time ns = 3.3 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = TDSON-8 FL / Pins = 8 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 37
Distrelec

Images

Farnell
TME
TME
RS APAC
Future Electronics
LZChips

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • BSZ036NE2LS
  • BSZ036NE2LSXT
  • SP000854572