Infineon BSZ060NE2LSATMA1

Power MOSFET, N Channel, 25 V, 40 A, 0.005 ohm, TSDSON, Surface Mount
$ 0.261
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DistributorSKUMinPkg
AvnetBSZ060NE2LSATMA142 0005K
3d
Newark
2
BSZ060NE2LSATMA17 1285Cut Tape
Arrow Electronics
3
BSZ060NE2LSATMA114 2681
RutronikTMOSP1054495 0005K
22h
Rochester ElectronicsBSZ060NE2LSATMA15 000
14h

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginAustria, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-03-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 weeks ago)

Pièces détachées

onsemiFDS6680A
N-Channel PowerTrench® MOSFET, Logic Level, 30V, 12.5A, 9.5mΩ
Détails
onsemiFDMS7692A
FDMS7692A Series 30 V 13.5 A 8 mOhm SMT N-Ch PowerTrench Mosfet - Power56
Détails
InfineonBSZ065N03LSATMA1
MOSFET N-CH 30V 12A TSDSON-8 / Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
Détails
InfineonIRF8714PBF
Single N-Channel 30 V 13 mOhm 12 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Détails
InfineonIRFHM8334TRPBF
Single N-Channel 30 V 9 mOhm 15 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
Détails
onsemiFDS6670A
N-Channel PowerTrench® MOSFET, Logic Level, 30V, 13A, 8mΩ
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon BSZ060NE2LSATMA1 fournies par ses distributeurs.

Power MOSFET, N Channel, 25 V, 40 A, 0.005 ohm, TSDSON, Surface Mount
EBV Elektronik
MOSFET Devices; INFINEON; BSZ060NE2LS; 25 V; 12 A; 20 V; 26 W
Maritex
2.1W 20V 2V 9.1nC 1N 25V 6m¦¸@ 10V 40A 670pF@ 12V TSDSON-8 , 3.3mm*3.3mm*1.1mm
UnikeyIC
Trans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON T/R
Avnet Japan
12 A 25 V 0.0081 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
Component Stockers USA
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 25V, 0.0081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
MOSFET N-Ch 12A 25V OptiMOS TSDSON8EP
RS APAC
25V 40A 5m´Î@10V20A 26W 2V@250uA 31pF@12V N Channel 670pF@12V 4.4nC@0~4.5V -55¡Í~+150¡Í@(Tj) PG-TSDSON-8 MOSFETs ROHS
Dasenic
With the OptiMOS™ 25V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs and system in package. Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6).
Infineon
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:25V; Continuous Drain Current Id:40A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2V; Power Dissipation:26W; No. Of Pins:8Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon BSZ060NE2LSATMA1.
Newark

Images

Farnell
TME
RS
TME
Future Electronics
Component Sense
LZChips

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • BSZ060NE2LS
  • BSZ060NE2LSATMA1.
  • BSZ060NE2LSXT
  • SP000776122