onsemi FDMC7696
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-11-02
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi FDMC7696 fournies par ses distributeurs.
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 12A, 11.5mΩ
MOSFET N-CH 30V 20A POWER33 / Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
Single N-Channel 30 V 2.4 W 22 nC Silicon Surface Mount Mosfet - MLP-3.3x3.3
2.4W(Ta)，25W(Tc) 20V 3V@ 250µA 22nC@ 10 V 1individualNChannel 30V 11.5mΩ@ 12A,10V 12A，20A 1.43nF@15V MLP-8 SMD mount 3.2mm*3.2mm*750μm
MOSFET, N CH, 30V, 20A, MLP 3.3X3.3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0085ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:25W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:MLP; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance.This device is well suited for Power Management and load switching applications common in Notebook Computers and Portable Battery Packs.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight180 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance11.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.43 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.4 W
Rds On Max11.5 mΩ
Rise Time2 ns
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height800 µm
Length3.3 mm
Width3.3 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité