Infineon BSZ0902NSATMA1

Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
$ 0.388
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Arrow Electronics
2
BSZ0902NSATMA15 0001
Rochester ElectronicsBSZ0902NSATMA19 647
11h
DigiKey
3
BSZ0902NSATMA1CT-ND9 9501Cut Tape
AvnetBSZ0902NSATMA105K
4d
Future Electronics
2
BSZ0902NSATMA105KTape & Reel

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon BSZ0902NSATMA1.

element14 APAC

Datasheet9 pagesIl y a 13 ans

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IHS

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginAustria, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-04-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

Pièces détachées

InfineonBSZ035N03MSGATMA1
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 40 A, 0.0035 ohm, PG-TSDSON, Surface Mount
Détails
onsemiFDMS7698
N-Channle 30 V 22 A 10 mohm Surface Mount PowerTrench Mosfet - Power 56
Détails
onsemiFDMC7696
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 12A, 11.5mΩ
Détails
onsemiFDMS7694
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13.2A 8-Pin PQFN EP T/R / MOSFET N-CH 30V POWER56
Détails
InfineonBSC052N03LSATMA1
Trans MOSFET N-CH 30V 17A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Détails
InfineonIRFHS8342TRPBF
Single N-Channel 30 V 16 mOhm 4.2 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 2 x 2 mm
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon BSZ0902NSATMA1 fournies par ses distributeurs.

Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
MOSFET, N-CH, 30V, 40A, TSDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Source Voltage Vds:30V; On Resistance
element14 APAC
Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6)
Infineon
MOSFET, N-CH, 30V, 40A, TSDSON-8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 40A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.0022ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2V; Power Dissipation Pd: 48W; Transistor Case Style: TSDSON; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Farnell

Images

element14 APAC
TME
RS
RS
TME
Future Electronics
Rochester Electronics
LZChips

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • BSZ0902NS
  • BSZ0902NSXT
  • SP000854386