Infineon AUIRLR3636

Automotive Q101 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package
$ 2.61
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
RS (Formerly Allied Electronics)AUIRLR3636075Bulk
13h
FarnellAUIRLR363601
20h
Component Stockers USAAUIRLR3636335
5d
Win SourceWS-AUIRLR363653940
21h
Worldway ElectronicsAUIRLR36369 8277Tube
20h

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon AUIRLR3636.

IHS

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Newark

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Farnell

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Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
InfineonAUIRLR3636
InfineonIRLR3636TRPBF
InfineonIRLR3636TRPBF
Price @ 1000
$ 2.61
$ 0.753
$ 0.753
Stock
33,499
649,072
649,072
Authorized Distributors
2
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
50 A
50 A
50 A
Threshold Voltage
1 V
2.5 V
2.5 V
Rds On Max
6.8 mΩ
6.8 mΩ
6.8 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
16 V
16 V
16 V
Power Dissipation
143 W
143 W
143 W
Input Capacitance
3.779 nF
3.779 nF
3.779 nF

Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-07-13
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

InfineonIRLR3636TRPBF
Single N-Channel 60 V 8.3 mOhm 49 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3
Détails
InfineonIRLR3636PBF
Single N-Channel 60 V 6.8 mOhm 33 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3
Détails
InfineonIRLR3636TRLPBF
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK / N-Channel 60 V 50A (Tc) 143W (Tc) Surface Mount D-Pak
Détails
onsemiFDD10AN06A0
Trans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
Détails
onsemiFDD13AN06A0
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 50A, 13mΩ
Détails
onsemiFDD13AN06A0-F085
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 60V, 50A, 13.5mΩ
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon AUIRLR3636 fournies par ses distributeurs.

Automotive Q101 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package
International Rectifier
Single N-Channel 60 V 6.8 mOhm 33 nC Automotive HEXFET® Power Mosfet - DPAK
Future Electronics
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.0083ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
IHS
MOSFET, N CH, 60V, 9A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0054ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:143W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-252AA; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012)
element14 APAC

Images

element14 APAC
Newark
RS (Formerly Allied Electronics)
TME
Future Electronics
International Rectifier
Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRFAUIRLR3636