Infineon IRLR3636TRPBF

Single N-Channel 60 V 8.3 mOhm 49 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3
$ 0.718
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

Voir tous les prix
DistributorSKUMinPkg
Newark
2
IRLR3636TRPBF121Cut Tape
Future Electronics
2
IRLR3636TRPBF36 0002KTape & Reel
Arrow Electronics
4
IRLR3636TRPBF4 2521
Rochester ElectronicsIRLR3636TRPBF1 000
3h
DigiKey
3
IRLR3636TRPBFCT-ND23 5871Cut Tape

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IRLR3636TRPBF.

Newark

Datasheet11 pagesIl y a 17 ans

IHS

Future Electronics

iiiC

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Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
InfineonIRLR3636TRPBF
InfineonIRLR3636TRLPBF
InfineonIRLR3636TRLPBF
Price @ 1000
$ 0.718
$ 0.758
$ 0.758
Stock
700,226
159,196
159,196
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
50 A
50 A
50 A
Threshold Voltage
2.5 V
-
-
Rds On Max
6.8 mΩ
6.8 mΩ
6.8 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
16 V
16 V
16 V
Power Dissipation
143 W
143 W
143 W
Input Capacitance
3.779 nF
3.779 nF
3.779 nF

Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-02-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

InfineonIRLR3636PBF
Single N-Channel 60 V 6.8 mOhm 33 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3
Détails
InfineonIRLR3705ZTRPBF
Single N-Channel 55 V 12 mOhm 66 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
Détails
InfineonIRFR3607TRPBF
Single N-Channel 75 V 9 mOhm 84 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3
Détails
VishaySQD40N06-14L_GE3
Mosfet Transistor, N Channel, 40 A, 60 V, 0.011 Ohm, 10 V, 2 V Rohs Compliant: Yes |Vishay SQD40N06-14L-GE3
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRLR3636TRPBF fournies par ses distributeurs.

Single N-Channel 60 V 8.3 mOhm 49 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3
Future Electronics
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 50 A, 0.0054 ohm, TO-252AA, Surface Mount
Avnet
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.0083ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
ComSIT Distribution GmbH
MOSFET, N-CH, 60V, 50A, TO-252AA-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0054ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V;
element14 APAC
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Infineon

Images

Infineon
RS APAC
Newark
TME
Conrad
Future Electronics
iiiC
RS (Formerly Allied Electronics)
LZChips
LCSC
Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRFIRLR3636TRPBF
  • SP001574002