Infineon AUIRF1404ZL
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Stock
97,461
23,059
Authorized Distributors
3
1
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-262
TO-262
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
40 V
Continuous Drain Current (ID)
160 A
120 A
Threshold Voltage
2 V
-
Rds On Max
3.7 mΩ
3.7 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
200 W
200 W
Input Capacitance
4.34 nF
4.34 nF
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-02-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
InfineonAUIRL1404ZL
Automotive Q101 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 Package, TO262-3, RoHS
InfineonIRF1404LPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 40V;RDS(ON) 0.0035Ohm;ID 162A;TO-262;PD 200W;VGS +/-20V
InfineonAUIRF2804L
Automotive 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I2PAK (TO-262) package, TO262-3, RoHS
onsemiFDI045N10A-F102
N-Channel 100 V 4.5 mOhm Through Hole POWERTRENCH MOSFET - I2PAK (TO-262)
Descriptions
Descriptions de Infineon AUIRF1404ZL fournies par ses distributeurs.
Automotive Q101 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 Package, TO262-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 40V 180A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
MOSFET, N CH, 40V, 160A, TO-262; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):2.7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:200W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-262; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:180A; Power Dissipation Pd:200W; Voltage Vgs Max:20V
Benefits: Advanced process technology; Ultra-low on-resistance; 175C operating temperature; Fast switching; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified | Target Applications: Brushless Motor Drive
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-262
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)160 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance3.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time58 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.34 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance3.7 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation200 W
Rds On Max3.7 mΩ
Rise Time110 ns
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time36 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height15.01 mm
Length10.668 mm
Width4.826 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité