Infineon IRF1404LPBF
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-02-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
InfineonAUIRF1404ZL
Automotive Q101 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 Package, TO262-3, RoHS
InfineonIRFSL7537PBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS
Descriptions
Descriptions de Infineon IRF1404LPBF fournies par ses distributeurs.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 40V;RDS(ON) 0.0035Ohm;ID 162A;TO-262;PD 200W;VGS +/-20V
Single N-Channel 40 V 0.004 Ohm 160 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 40V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
N CHANNEL MOSFET, 40V, 162A, TO-262; Tra; N CHANNEL MOSFET, 40V, 162A, TO-262; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:162A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):4mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Current Rating162 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time26 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.36 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance4 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation3.8 W
Rds On Max4 mΩ
Resistance4 mΩ
Rise Time140 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time72 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Voltage Rating (DC)40 V
Dimensions
Height15.01 mm
Length10.668 mm
Width4.826 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead, Lead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité