Infineon IPD105N03LGATMA1

Name: Infineon IPD105N03LGATMA1
Brand: Infineon
SKU: IPD105N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 3-Pin(2+Tab) TO-252

Obsolete

Page du fabricant Fiche technique

Prix et stock

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Win Source	WS-IPD105N03LGATMA1	2 650	10			6,157	4,105	4,105	4,105	15h
Worldway Electronics	IPD105N03LGATMA1	8 972	7	Tape & Reel		0,095	0,092	0,087	0,087	1d
Aztech	IPD105N03LGATMA1	8 159			6,090	6,090	6,090	6,090	6,090	1d
Run Hong Electronics	IPD105N03LGATMA1	2 816			3,079	3,079	3,079	3,079	3,079	2h
Fly-Wing Technology	IPD105N03LGATMA1	1 933			5,064	4,156	4,026	3,767	3,767	4d

Modèles CAO

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Datasheet12 pagesIl y a 15 ans

Chaîne d'approvisionnement

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

InfineonIPD090N03LGBTMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Détails

Diodes Inc.DMN3010LK3-13

Mosfet, N-Ch, 30V, 43A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN3010LK3-13

Détails

InfineonIPD30N03S2L10ATMA1

30V, N-Ch, 10 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™, PG-TO252-3, RoHS

Détails

onsemiNTD70N03RG

Tube Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 10A Ta 32A Tc 32A 1.87W 1.3ns

Détails

onsemiNTD60N02RT4

Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 8.5A Ta 32A Tc 32A 1.87W 33ns

Détails

onsemiNTD65N03RG

Tube Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 9.5A Ta 32A Tc 32A 50W 20.3ns

Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IPD105N03LGATMA1 fournies par ses distributeurs.

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 3-Pin(2+Tab) TO-252

Avnet

MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3

DigiKey

Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

IHS

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

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Spécifications techniques

Physical

Case/PackageTO-252-3

MountSurface Mount

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)35 A

Drain to Source Breakdown Voltage30 V

Drain to Source Resistance10.5 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)30 V

Fall Time2.4 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance1.5 nF

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation38 W

Min Breakdown Voltage30 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Power Dissipation38 W

Rds On Max10.5 mΩ

Rise Time14 ns

Turn-Off Delay Time14 ns

Turn-On Delay Time3.7 ns

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Datasheet12 pagesIl y a 15 ans

Conformité

Classification environnementale

China RoHSCompliant

REACH SVHCYes

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Conflict Mineral StatementN/AN/A