Vishay SIHB22N60E-GE3

MOSFET, N CH, 600V, 21A, D2PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain
$ 2.184
Production
Página del fabricanteFicha técnica

Precio y existencias

Ver todas las estructuras de precios
DistributorSKUMinPkg
NewarkSIHB22N60E-GE32061
Verical
2
SIHB22N60E-GE320675
TME
2
SIHB22N60E-GE32501
23h
TTISIHB22N60E-GE3130010Tube
2h
AvnetSIHB22N60E-GE301K
3d

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Vishay SIHB22N60E-GE3.

IHS

Datasheet9 páginasHace 9 años

Farnell

element14 APAC

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses:
-34.50%
Powered bySpectra logo

Componentes alternativos

Este componente
Componentes alternativos
VishaySIHB22N60E-GE3
VishaySIHB22N60E-E3
Price @ 1000
$ 2.184
$ 1.85
Stock
85,516
33,511
Authorized Distributors
6
4
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
TO-263-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
600 V
Continuous Drain Current (ID)
21 A
21 A
Threshold Voltage
2 V
-
Rds On Max
180 mΩ
180 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
227 W
-
Input Capacitance
1.92 nF
1.92 nF

Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-11-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Componentes relacionados

VishaySIHB24N65E-GE3
E-Series N-Channel 650 V 0.145 O 122 nC Surface Mount Power Mosfet - D2PAK
Detalles
VishaySIHB15N60E-GE3
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Detalles
STMicroelectronicsSTB32NM50N
N-channel 500 V, 0.1 Ohm typ., 22 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in D2PAK package
Detalles
STMicroelectronicsSTB25NM60ND
Mosfet Transistor, N Channel, 21 A, 600 V, 0.13 Ohm, 10 V, 4 V Rohs Compliant: Yes
Detalles
STMicroelectronicsSTB31N65M5
N-channel 650 V, 0.124 Ohm typ., 22 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK package
Detalles
onsemiFCB20N60FTM
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET®, FRFET®, 600 V, 20 A, 190 mΩ, D2PAK
Detalles

Descripciones

Descripciones de Vishay SIHB22N60E-GE3 suministradas por sus distribuidores.

MOSFET, N CH, 600V, 21A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
Newark
E-Series N-Channel 600 V 227 W 0.18 O 86 nC Surface Mount Power Mosfet - D2PAK
Future Electronics
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Avnet
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 600V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
IHS
MOSFET, N CH, 600V, 21A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:21A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.15ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:227W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Voltage Vgs Max:30V
Farnell

Imágenes

Vishay
RS
TME
Newark
element14 APAC
Future Electronics
RS

Alias de fabricantes

Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • Vishay Techno
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • SIHB22N60EGE3