STMicroelectronics STB31N65M5
$ 2.135
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | STB31N65M5 | 0 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | STB31N65M5 | 0 | 1K | 15h | ||||||||
| Future Electronics | STB31N65M5 | 0 | 1K | Tape & Reel | ||||||||
| Arrow Electronics | STB31N65M5 | 0 | 1K | |||||||||
| Farnell | STB31N65M5 | 0 | 1 | Cut Tape | 1d |
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-02-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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MOSFET, N CH, 600V, 21A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STB31N65M5 suministradas por sus distribuidores.
N-channel 650 V, 0.124 Ohm typ., 22 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK package
STB31N65M5 N-channel MOSFET Transistor, 22 A, 710 V, 3-Pin D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
150W(Tc) 25V 5V@ 250¦ÌA 45nC@ 10 V 1N 650V 148m¦¸@ 11A,10V 22A 1.865nF@100V D2PAK,TO-263
Mosfet, N-Ch, 650V, 22A, To-263 Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STB31N65M5
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -100%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)22 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance148 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.865 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation150 W
Rds On Max148 mΩ
Resistance148 mΩ
Turn-Off Delay Time46 ns
Turn-On Delay Time46 ns
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.4 mm
Width9.35 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant