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Ampleon
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RF Power Transistor, 0.70 to 1 GHz, 135 W, 21 dB, 28 V, SOT502B, LDMOS
RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
RF Power Transistor, HF- 1.4 GHz, 5 W, 22.4 dB, 50 V, SOT1352-1, LDMOS
RF Power Transistor, 2.11 to 2.17 GHz, 350 W, 48 V, GaN
| Distributor | SKU | Min | Pkg | Bulk Pricing | Updated | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RFMW | C4H18W350PY | 0 | 1 | 9h |
RF Power Field-Effect Transistor
RF Power Transistor, 0.92 to 0.96 GHz, 250 W, 19.5 dB, 30 V, LDMOS, SOT-502B
RF Power Transistor, 2 to 2.2 GHz, 160 W, 18 dB, 32 V, SOT1120B, LDMOS
RF Power Transistor, 1.8 to 2.05 GHz, 160 W, 18 dB, 28 V, LDMOS, SOT-1121B
RF Power Transistor, 0.60 to 0.96 GHz, 300 W 21 dB, 48 V, SOT1273-1, LDMOS
RF Power Transistor, 2.11 to 2.17 GHz, 200 W, 19 dB, 28 V, LDMOS