Vishay SIHG33N65EF-GE3
$ 3.899
Production
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | SIHG33N65EF-GE3 | 0 | 1 | |||||||||
| Future Electronics | SIHG33N65EF-GE3 | 0 | 500 | Box | ||||||||
| Avnet | SIHG33N65EF-GE3 | 0 | 500 | 3d | ||||||||
| TTI Europe | SIHG33N65EF-GE3 | 0 | 500 | Tube | 1h | |||||||
| TTI Asia | SIHG33N65EF-GE3 | Kontakt | 14h |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-01-16
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
VishaySIHG33N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC / Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
STMicroelectronicsSTWA45N65M5
N-channel 650 V, 0.067 Ohm typ., 35 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 long leads package
STMicroelectronicsSTW50N65DM2AG
Mosfet, Aec-Q101, N-Ch, 650V, 38A, 300W Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STW50N65DM2AG
onsemiFCH110N65F-F155
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FRFET®, 650 V, 35 A, 110 mΩ, TO-247
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SIHG33N65EF-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 650V 31.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
E SERIES POWER MOSFET WITH FAST BODY DIODE
313W(Tc) 30V 4V@ 250¦ÌA 171nC@ 10V 1N 650V 109m¦¸@ 16.5A,10V 31.6A 4.026nF@100V TO-247 15.87mm*5.31mm*20.82mm
Power Field-Effect Transistor, 31.6A I(D), 650V, 0.109ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
MOSFET N-CH 650V 31.6A TO247AC
N-CH 700V 31,6A 95mOhm TO-247AC
MOSFET, N-CH, 650V, 31.6A, TO-247AC-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:31.6A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.095ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)31.6 A
Drain to Source Resistance109 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Input Capacitance4.026 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation313 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max109 mΩ
Threshold Voltage4 V
Datenblätter und Dokumente
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