STMicroelectronics STWA45N65M5
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-12-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-09-29
LTD Date2026-03-29
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTWA57N65M5
N-channel 650 V, 0.056 Ohm typ., 42 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 long leads package
onsemiFCH067N65S3-F155
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® III, Easy Drive, 650 V, 44 A, 67 mΩ, TO-247
STMicroelectronicsSTW48N60M2
N-channel 600 V, 0.06 Ohm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTWA48N60M2
N-channel 600 V, 0.06 Ohm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 long leads package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STWA45N65M5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 650 V, 0.067 Ohm typ., 35 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 long leads package
210W(Tc) 25V 5V@ 250¦ÌA 82nC@ 10 V 1N 650V 78m¦¸@ 17.5A,10V 35A 3.47nF@100V TO-247 20.15mm
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 650V, 0.078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Mosfet, N-Ch, 650V, 35A, To-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:35A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(On):0.067Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipationrohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STWA45N65M5
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)35 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance78 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance3.47 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation210 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation210 W
Rds On Max78 mΩ
Rise Time11 ns
Turn-Off Delay Time16 ns
Turn-On Delay Time79.5 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant