STMicroelectronics STW50N65DM2AG
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-07-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 7 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTWA45N65M5
N-channel 650 V, 0.067 Ohm typ., 35 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 long leads package
STMicroelectronicsSTW42N60M2-EP
N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-247 package
onsemiFCH110N65F-F155
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FRFET®, 650 V, 35 A, 110 mΩ, TO-247
STMicroelectronicsSTW45N60DM2AG
MOSFET N-CH 600V 34A TO247 / N-Channel 600 V 34A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247-3
VishaySIHG33N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC / Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STW50N65DM2AG, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 650V 38A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Mosfet, Aec-Q101, N-Ch, 650V, 38A, 300W; |Stmicroelectronics STW50N65DM2AG
Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 650V, 0.087ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
300W(Tc) 25V 5V@ 250µA 70nC@ 10 V 1individualNChannel 650V 87mΩ@ 19A,10V 28A 3.2nF@100V TO-247-3 Through hole mounting 20.15mm*15.75mm*5.15mm
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)38 A
Drain to Source Resistance87 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Input Capacitance3.2 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation300 W
Rds On Max87 mΩ
Schedule B8541290080
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