Vishay SI4160DY-T1-GE3

Transistor Mosfet N-ch 30V 16.8A 8-PIN SOIC N T/r
$ 0.631
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Alle Preisnachlässe anzeigen
DistributorSKUMinPkg
AvnetSI4160DY-T1-GE32.5002500
2d
Newark
3
SI4160DY-T1-GE3.2.5002500Tape & Reel
Arrow ElectronicsSI4160DY-T1-GE391
DigiKey
2
SI4160DY-T1-GE3CT-ND1.5011Cut Tape
TME
2
SI4160DY-T1-GE302500
15h

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Vishay SI4160DY-T1-GE3 herunter.

Farnell

Datasheet9 SeitenVor 9 Jahren

IHS

Newark

Arrow Electronics

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-19.96%
Powered bySpectra logo

CAD-Modelle

Laden Sie Vishay SI4160DY-T1-GE3 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
SnapEDA
3DHerunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-01-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

InfineonIRF8736TRPBF
Single N-Channel 30 V 4.8 mOhm 26 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Details
InfineonIRF8736PBF
IRF8736PBF N-channel MOSFET Transistor,18 A, 30 V, 8-Pin SOIC
Details
InfineonIRF7832PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 3.1Milliohms;ID 20A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Details
VishaySI4156DY-T1-GE3
Si4156DY Series N-Channel 30 V 0.006 Ohm 6 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
Details
onsemiNTMS4802NR2G
Single N-Channel Power MOSFET 30V, 18A, 4mΩ
Details
onsemiFDS8813NZ
N-Channel 30 V 4.5 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Vishay SI4160DY-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Transistor MOSFET N-CH 30V 16.8A 8-Pin SOIC N T/R
North Star Micro
Trans MOSFET N-CH 30V 25.4A 8-Pin SOIC N T/R
Verical
N-CH MOSFET SO-8 BWL 30V 4.9MOHM @10V- LEAD(PB) AND HALOGEN FREE
Future Electronics
2.5W(Ta),5.7W(Tc) 20V 2.4V@ 250¦ÌA 54nC@ 10 V 1N 30V 4.9m¦¸@ 15A,10V 25.4A 2.071nF@15V SOIC-8 1.75mm
UnikeyIC
场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 25.4A, SOIC;
element14 APAC
Small Signal Field-Effect Transistor, 16.8A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:25.4A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:1V; Power Dissipation:5.7W; No. Of Pins:8Pins Rohs Compliant: Yes |Vishay SI4160DY-T1-GE3.
Newark

Bilder

Vishay
element14 APAC
Future Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Polytech
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • SI4160DY-T1-GE3.
  • SI4160DYT1GE3