Infineon IRF8736PBF
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | IRF8736PBF | 9.695 | 8334 | 3d | ||||||||
| Flip Electronics | IRF8736PBF | 9.695 | 2d | |||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF8736PBF | 0 | 3800 | Bulk | 4h | |||||||
| Farnell | IRF8736PBF | 0 | 1 | 2h | ||||||||
| Win Source | WS-IRF8736PBF | 68.580 | 240 | 16h |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-08-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRF7832PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 3.1Milliohms;ID 20A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
InfineonIRF8113TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 4.7Milliohms;ID 17.2A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-2
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF8736PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
IRF8736PBF N-channel MOSFET Transistor,18 A, 30 V, 8-Pin SOIC
Single N-Channel 30 V 6.8 mOhm 26 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
2.5W(Ta) 20V 2.35V@ 50¦ÌA 26nC@ 4.5 V 1N 30V 4.8m¦¸@ 18A,10V 18A 2.315nF@15V SOIC-8 1.75mm
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC Tube / MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:18A; On Resistance, Rds(on):4.8mohm; Package/Case:8-SOIC; Drain-Source Breakdown Voltage:30V; Total Gate Charge:17nC; No. of Pins:8 ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance4.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Dual Supply Voltage30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.315 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.8 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance4.8 mΩ
Package Quantity3800
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max4.8 mΩ
Recovery Time24 ns
Resistance4.8 MΩ
Rise Time15 ns
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage1.8 V
Turn-Off Delay Time13 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen