Infineon IRF7832PBF

Name: Infineon IRF7832PBF
Brand: Infineon
SKU: IRF7832PBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 30V; Rds(on) 3.1MILLIOHMS; Id 20A; SO-8; Pd 2.5W; Vgs +/-20V

Obsolete

Herstellerseite Datenblatt

Preis und Lagerbestand

Autorisierte Distributoren

Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren

Nicht autorisierte Händler

Alle Preisnachlässe anzeigen

Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRF7832PBF	0	3800	Bulk					0,940	16h
Farnell	IRF7832PBF	0	5			1,211*	0,832*	0,514*	0,504*	1d
Win Source	WS-IRF7832PBF	28.090	120					0,317	0,285	38m
Worldway Electronics	IRF7832PBF	10.666	7	Tube		0,108	0,105	0,099	0,099	1d
ICPartonline	IRF7832PBF	36.561			0,630	0,599	0,567	0,536	0,504	1d

CAD-Modelle

Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen

Alternative Teile

0 Teile verfügbar

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRF7832PBF herunter.

Newark

Datasheet10 SeitenVor 20 Jahren

IHS

TME

RS (Formerly Allied Electronics)

Jameco

CAD-Modelle

Laden Sie Infineon IRF7832PBF Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLE	eCAD	mCAD	DATEIEN
Component Search Engine	SymbolFußabdruck	3D	Herunterladen

Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.

Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF7832PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 3.1Milliohms;ID 20A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel 30 V 4.8 mOhm 51 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8

Future Electronics

HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA

ComSIT Distribution GmbH

Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Low RDS(ON) at 4.5V VGS; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Ultra-Low Gate Impedance

Infineon

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:20A; On Resistance, Rds(on):4mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:8-SOIC ;RoHS Compliant: Yes

Newark

MOSFET, N, LOGIC, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):4mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.32V; Power Dissipation Pd:2.5W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:20A; Current Temperature:25°C; External Depth:5.2mm; External Length / Height:1.75mm; External Width:4.05mm; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:SOIC; Pin Format:1 S; 2 S; 3 S; 4 G; 5 D; 6 D; 7 D; 8 D; Power Dissipation Pd:2.5W; Power Dissipation Pd:2.5W; Pulse Current Idm:160A; Row Pitch:6.3mm; SMD Marking:IRF7832PBF; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:2.32V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC

Bilder

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

IRF7832#PBF
IRF7832PBF.
SP001560060

CAD-Modelle

Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen

Alternative Teile

0 Teile verfügbar

Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOIC

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals8

Technical

Continuous Drain Current (ID)20 A

Current Rating20 A

Drain to Source Breakdown Voltage30 V

Drain to Source Resistance4 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)30 V

Dual Supply Voltage30 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time13 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance4.31 nF

Max Junction Temperature (Tj)155 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation2.5 W

Min Breakdown Voltage30 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs2.32 V

Number of Channels1

Number of Elements1

On-State Resistance4 mΩ

Package Quantity3800

PackagingBulk

Power Dissipation2.5 W

Rds On Max4 mΩ

Recovery Time62 ns

Resistance4 MΩ

Rise Time6.7 ns

TerminationSMD/SMT

Threshold Voltage2.32 V

Turn-Off Delay Time21 ns

Turn-On Delay Time12 ns

Voltage Rating (DC)30 V

Dimensions

Height1.75 mm

Length4.9784 mm

Row Spacing6.3 mm