Vishay SI4116DY-T1-GE3

N-Channel 25 V 0.0086 Ohm 5 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
$ 0.591
Production
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Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
DigiKey
3
SI4116DY-T1-GE3CT-ND28.4881Cut Tape
TTISI4116DY-T1-GE310.0002500Tape & Reel
13h
TME
2
SI4116DY-T1-GE302500
1d
AvnetSI4116DY-T1-GE302500
13h
Future ElectronicsSI4116DY-T1-GE302500Tape & Reel

Datenblätter und Dokumente

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Newark

Datasheet9 SeitenVor 9 Jahren
Datasheet10 SeitenVor 10 Jahren
Datasheet10 SeitenVor 11 Jahren

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
VishaySI4116DY-T1-GE3
VishaySI4116DY-T1-E3
Price @ 1000
$ 0.591
$ 0.57
Stock
325,386
164,697
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SO
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
25 V
Continuous Drain Current (ID)
12.7 A
12.7 A
Threshold Voltage
600 mV
-
Rds On Max
8.6 mΩ
8.6 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
12 V
12 V
Power Dissipation
-
2.5 W
Input Capacitance
1.925 nF
1.925 nF

Lieferkette

Country of OriginGermany
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-09-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

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InfineonIRF7425PBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -20V;RDS(ON) 8.2 Milliohms;ID -15A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-1
Details
InfineonIRF7456PBF
Transistor MOSFET N Channel 20 Volt 16 Amp 8-Pin SOIC
Details
onsemiFDS7764A
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R
Details
onsemiFDS6670A
N-Channel PowerTrench® MOSFET, Logic Level, 30V, 13A, 8mΩ
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Vishay SI4116DY-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-Channel 25 V 0.0086 Ohm 5 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
Future Electronics
Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R / MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC
Win Source
N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 12.7A I(D), 25V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
ComSIT Distribution GmbH
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:18000mA; Drain Source Voltage, Vds:25V; On Resistance, Rds(on):0.0115ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:12V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1.4V; Power Dissipation, Pd:2.5W ;RoHS Compliant: Yes
Newark
MOSFET, N CH, 25V, 18A, 8SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):7.1mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:5W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:18A; Power Dissipation Pd:5W; Voltage Vgs Max:12V
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Bilder

Vishay
RS
Farnell
TME
element14 APAC
Future Electronics
iiiC
RS (Formerly Allied Electronics)
Conrad

Aliasnamen des Herstellers

Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • Vishay Techno
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • SI4116DYT1GE3