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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-04-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2010-06-03
LTD Date2010-12-03
Verwandte Teile
InfineonIRF8113TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 4.7Milliohms;ID 17.2A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-2
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDS7764A, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R
30V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N CH, 30V, 15A, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:15A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):7.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.1V; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:15A; Package / Case:SOIC-8; Power Dissipation Pd:2.5W; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:12V; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance7.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance3.451 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max7.5 mΩ
Rise Time13 ns
Turn-Off Delay Time52 ns
Datenblätter und Dokumente
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