Vishay IRFIZ34GPBF
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Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1998-06-25
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-11-04
LTD Date2025-05-04
Verwandte Teile
InfineonIRFIZ34NPBF
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package, FULLPAK220-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay IRFIZ34GPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 60 V 0.05 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220 FULLPAK
60V 20A 50m´Î@10V12A 42W 4V@250Ã×A N Channel TO-220(TO-220-3) MOSFETs ROHS
N CHANNEL MOSFET, 60V, 20A, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 20A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.05ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold V
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -14.29%
CAD-Modelle
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Drain to Source Resistance50 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time52 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.2 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation42 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation42 W
Rds On Max50 mΩ
Resistance50 mΩ
Rise Time100 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time29 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height9.8 mm
Length10.63 mm
Width4.83 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen