Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi FQPF30N06 herunter.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-07-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
LTB Date2009-03-09
LTD Date2009-09-09
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQPF30N06, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 60V 21A 3-Pin (3+Tab) TO-220F Rail
60V N-Channel MOSFET | MOSFET N-CH 60V 21A TO-220F
39W(Tc) 4V@ 250µA 25nC@ 10V 1individualNChannel 60V 40mΩ@ 10.5A,10V 945pF@25V TO-220F Through hole mounting
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)21 A
Current Rating21 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance40 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance945 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation39 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation39 W
Rds On Max40 mΩ
Rise Time85 ns
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height19.5 mm
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi FQPF30N06 herunter.