Vishay IRFIZ24GPBF
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Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | IRFIZ24GPBF | 2.000 | 1 | |||||||||
| DigiKey | IRFIZ24GPBF-ND | 1.905 | 1 | Tube | ||||||||
| TME | IRFIZ24GPBF | 0 | 1 | 22h | ||||||||
| TTI | IRFIZ24GPBF | 0 | 1K | Tube | 2h | |||||||
| Future Electronics | IRFIZ24GPBF | 0 | 50 | Tube |
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Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay IRFIZ24GPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
IRFIZ24G Series N-Channel 60 V 100 mOhm 37 W Power Mosfet - TO-220 FULLPAK
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:14A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Power Dissipation:37W; No. Of Pins:3Pins; Msl:- Rohs Compliant: No |Vishay IRFIZ24GPBF.
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)14 A
Drain to Source Resistance100 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Dual Supply Voltage60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time42 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance640 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation37 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation37 W
Rds On Max100 mΩ
Resistance100 MΩ
Rise Time58 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height9.8 mm
Length10.63 mm
Width4.83 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen