STMicroelectronics STU2NK100Z
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-05-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTD2NK90Z-1
N-CHANNEL 900V - 5.5 Ohm - 2.1A - DPAK ZENER-PROTECTED SUPERMESH MOSFET
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STU2NK100Z, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 1000 V, 6.25 Ohm typ., 1.85 A, Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in IPAK package
MOSFET N-CH 1000V 1.85A IPAK / N-Channel 1000 V 1.85A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I-PAK
STU2NK100Z N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 1.85 A, 1000 V, 3-PIN TO-251
N-CHANNEL 1000 V-6.25 OHM-1.85 A-IPAK ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 1.85A I(D), 1000V, 8.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
MOSFET, N CH, 1000V, 1.85A, IPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.85A; Drain Source Voltage Vds:1kV; On Resistance Rds(on):6.25ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3.75V; Power Dissipation Pd:70W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:TO-251; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
Mosfet, N Ch, 1Kv, 1.85A, To-251; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:1.85A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:1Kv; Resistencia De Activación Rds(On):6.25Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V |Stmicroelectronics STU2NK100Z
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.85 A
Drain to Source Breakdown Voltage1 kV
Drain to Source Resistance8.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)1 kV
Element ConfigurationSingle
Fall Time32.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance499 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Breakdown Voltage1 kV
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation70 W
Rds On Max8.5 Ω
Rise Time6.5 ns
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time41.5 ns
Turn-On Delay Time7.2 ns
Dimensions
Height6.9 mm
Length6.6 mm
Width2.4 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant