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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-07-13
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
LTB Date2009-03-09
LTD Date2009-09-09
Verwandte Teile
onsemiSSU1N50BTU
Transistor,mosfet,n-Channel,500V V(Br)Dss,1.3A I(D),to-251Aa Rohs Compliant: Yes |Onsemi SSU1N50BTU
onsemiFQU6N40CTU
MOSFET N-CH 400V 4.5A IPAK / Trans MOSFET N-CH 400V 4.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQU2N90TU, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 900V, 7.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
Field Effect Tube (MOSFET)
MOSFETs 900V N-Channel QFET
2.5W(Ta)，50W(Tc) 5V@ 250µA 15nC@ 10V 1individualNChannel 900V 7.2Ω@ 850mA,10V 500pF@25V IPAK Through hole mounting
N-CHANNEL POWER MOSFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
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Alternative Teile
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.7 A
Current Rating1.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage900 V
Drain to Source Resistance7.2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance500 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage900 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max7.2 Ω
Rise Time35 ns
Turn-Off Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)900 V
Datenblätter und Dokumente
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