STMicroelectronics STS4DNFS30
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-07-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)
Verwandte Teile
InfineonIRF7303QTRPBF
Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
InfineonIRF7406TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.045Ohm;ID -5.8A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Diodes Inc.ZXMC3F31DN8TA
Dual N/P-Channel 30 V 2.1 W 12.9/12.7 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
InfineonIRF9952QPBF
30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead-Free SO-8 package
InfineonIRF7603TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.035Ohm;ID 5.6A;SO-8;PD 1.8W;VGS +/-20V;-55
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STS4DNFS30, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Ch MOSFET 30V 4.5A 55mΩ@2A,10V 330pF@25V SOIC-8 SMD
Power MOSFET Transistors N Ch 30V 0.044 Ohm 4.5A
N-channel - 30V - 0.044Y - 4.5A SO-8
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 30V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
CAP CER 8200PF 100V C0G RADIAL
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance85 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Fall Time6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance330 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape (CT)
Power Dissipation2 W
Rds On Max55 mΩ
Rise Time17 ns
Turn-Off Delay Time15 ns
Datenblätter und Dokumente
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