Infineon IRF9952QPBF
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Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-07-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2014-11-05
LTD Date2015-05-05
Verwandte Teile
InfineonIRF9956TRPBF
MOSFET, Power;Dual N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.1Ohm;ID 3.5A;SO-8;PD 2W;VGS +/-20V
InfineonIRF7379TRPBF
IRF7379 Series 30 V 0.045 Ohm N and P-Channel HEXFET® Power MOSFET - SOIC-8
Diodes Inc.DMP3085LSS-13
Mosfet, P-Ch, 30V, 3.8A, Soic Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP3085LSS-13
Diodes Inc.DMC3025LSD-13
Dual N/P-Channel 30 V 32/85 mOhm 4.6/5.1 nC 1.2 W Silicon SMT Mosfet SOIC-8
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF9952QPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead-Free SO-8 package
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET, NP SO-8; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:3.5A; On State Resistance:0.08ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:1V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Current, Id Cont N Channel 2:3.5A; Current, Id Cont P Channel:2.3A; Current, Idm Pulse N Channel 2:16A; Current, Idm Pulse P Channel:10A; Max On State Resistance N Channel:0.10ohm; Max On State Resistance P Channel:0.25ohm; Power Dissipation Pd:2.0W; Voltage, Vds:30V; Voltage, Vds Max:30V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.5 A
Drain to Source Resistance100 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Dual Supply Voltage30 V
Element ConfigurationDual
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance190 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1 V
Number of Elements2
Power Dissipation2 W
Resistance100 mΩ
TerminationSMD/SMT
Dimensions
Height1.4986 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen