Infineon IRF7303QTRPBF
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Dieser Teil
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Price @ 1000
$ 0.356
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Stock
167,280
517,511
517,511
Authorized Distributors
1
5
5
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SO
SOIC
SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
4.9 A
4.9 A
4.9 A
Threshold Voltage
-
1 V
1 V
Rds On Max
50 mΩ
50 mΩ
50 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
2 W
2 W
2 W
Input Capacitance
520 pF
520 pF
520 pF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-08-02
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
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Diodes Inc.DMC3028LSDX-13
Dual N/P-Channel 30 V 35/41 mOhm 6/10.9 nC 1.2 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF7303QTRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Trans MOSFET N-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
MOSFET, DUAL N-CHANNEL, 30V, 4.9A, SO-8, Q101 QUALIFIED
30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:4.9A; On Resistance, Rds(on):50mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1V ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.9 A
Drain to Source Resistance80 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time7.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance520 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
Power Dissipation2 W
Rds On Max50 mΩ
Rise Time21 ns
Turn-Off Delay Time22 ns
Turn-On Delay Time6.8 ns
Dimensions
Height1.4986 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen