Infineon IRF7316GTRPBF
$ 0.539
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | IRF7316GTRPBFCT-ND | 1.852 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF7316GTRPBF | 0 | 4K | Bulk | 1d | |||||||
| Win Source | WS-IRF7316GTRPBF | 2.010 | 80 | 9h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRF7316GTRPBF | 12.014 | 7 | Tape & Reel | 8h | |||||||
| Esaler Electronic | IRF7316GTRPBF | 4.000 | 1d |
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IRF7379 Series 30 V 0.045 Ohm N and P-Channel HEXFET® Power MOSFET - SOIC-8
STMicroelectronicsSTS4DNFS30
2W(Tc) 20V 1V@ 250¦ÌA 4.7nC@ 5 V 1N 30V 55m¦¸@ 2A,10V 4.5A 330pF@25V SOIC-8
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MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.035Ohm;ID 5.6A;SO-8;PD 1.8W;VGS +/-20V;-55
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF7316GTRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC / Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
2KW 20V 1V@ 250¦ÌA 34nC@ 10V 2P 30V 58m¦¸@ 4.9A,10V 4.9A 710pF@25V SOIC-8 1.5mm
DUAL P CH MOSFET, -30V, SOIC-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-4.9A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):42mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1V ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Technical
Continuous Drain Current (ID)-4.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance42 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Element ConfigurationDual
Fall Time48 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance710 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2 W
Rds On Max58 mΩ
Rise Time20 ns
Turn-Off Delay Time34 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
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