STMicroelectronics STP75NF75FP
Obsolete
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTP100N8F6
N-channel 80 V, 0.008 Ohm typ., 100 A, STripFET F6 Power MOSFET in a TO-220 package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP75NF75FP, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N channel 75 V, 0.0095 Ohm typ., 80 A STripFET II Power MOSFET in TO-220FP package
N channel 75 V 11 mOhm Flange Mount StripFET II Power Mosfet - TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
45W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 160nC@ 10 V 1N 75V 11m¦¸@ 40A,10V 80A 3.7nF@25V TO-220FP 20mm
80 A 75 V 0.011 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
MOSFET, N-CH, 75V, 80A, TO-220FP; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 80A; Drain Source Voltage Vds: 75V; On Resistance Rds(on): 0.0095ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Pow
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance11 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.7 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation45 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation45 W
Rds On Max11 mΩ
Rise Time100 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time66 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Dimensions
Height20 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant