Infineon IRFB3507PBF
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRFB3507PBF | 0 | 3K | Bulk | 23h | |||||||
| Microchip USA | IRFB3507PBF | 1.930 | 600 | Tube | 1h | |||||||
| Win Source | WS-IRFB3507PBF | 105.600 | 50 | 8h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRFB3507PBF | 16.726 | 7 | Tube | 7h | |||||||
| Esaler Electronic | IRFB3507PBF | 3.000 | 1d |
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRFB3507PBF herunter.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-11-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2012-09-19
LTD Date2013-03-19
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFB3507PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package
MOSFET, 75V, 97A, 8.8 MOHM, 88 NC QG, TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 75V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N TO-220 75VMOSFET, N TO-220 75V; Transistor type:MOSFET; Transistor polarity:N; Voltage, Vds max:75V; Case style:TO-220AB; Current, Id cont:97A; Current, Idm pulse:390A; Power, Pd:190W; Resistance, Rds on:7mR; Pin format:1 RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Current Rating97 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance8.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Fall Time49 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.54 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation190 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation190 W
Rds On Max8.8 mΩ
Rise Time81 ns
Turn-Off Delay Time52 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)75 V
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRFB3507PBF herunter.
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen