Infineon IRFB7787PBF
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Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-09-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2022-09-30
LTD Date2023-03-31
Verwandte Teile
InfineonIPP80N06S407AKSA2
60V, N-Ch, 7.1 mΩ max, Automotive MOSFET, TO-220, OptiMOS™-T2, PG-TO220-3, RoHS
STMicroelectronicsSTP75NF75FP
N channel 75 V, 0.0095 Ohm typ., 80 A STripFET II Power MOSFET in TO-220FP package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFB7787PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 75 V 8.4 mOhm 73 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
MOSFET N-CH 75V 83A TO220 / Trans MOSFET N-CH 75V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
125W(Tc) 20V 3.7V@ 100¦ÌA 109nC@ 10 V 1N 75V 8.4m¦¸@ 46A,10V 76A 4.02nF@25V TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 76A I(D), 75V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Benefits: Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness; Fully characterized capacitance and avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability; Lead-free, RoHS compliant; StrongIRFET
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:75V; Continuous Drain Current Id:76A; On Resistance Rds(On):0.0084Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.7V; Msl:- Rohs Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)76 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance8.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time39 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.02 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance8.4 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation125 W
Rds On Max8.4 mΩ
Rise Time48 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time51 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height19.8 mm
Length10.67 mm
Width4.83 mm
Datenblätter und Dokumente
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