STMicroelectronics STP100N8F6
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-12-02
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTP110N8F6
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP100N8F6, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 80 V, 0.008 Ohm typ., 100 A, STripFET F6 Power MOSFET in a TO-220 package
MOSFET N-CH 80V 100A TO220 / Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
176W(Tc) 20V 4V@ 250µA 100nC@ 10 V 1individualNChannel 80V 9mΩ@ 50A,10V 100A 5.955nF@25V TO-220 Through hole mounting 9.15mm(height)
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Resistance9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Input Capacitance5.955 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation176 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max9 mΩ
Schedule B8541290080
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